ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ JAN2N7335

Microsemi Corporation JAN2N7335

部品番号
JAN2N7335
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    -
合計:0 Unit Price:
0
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 JAN2N7335
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 4 P-Channel
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 750mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 1.4W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース 14-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤデバイスパッケージ -
関連製品
JAN1N1184

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

在庫あり: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1186

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

在庫あり: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1186R

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

在庫あり: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1188

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

在庫あり: 1

RFQ 40.88500/pcs
JAN1N1188R

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

在庫あり: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1190

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

在庫あり: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1190R

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

在庫あり: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1202A

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

在庫あり: 0

RFQ -
JAN1N1202AR

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

在庫あり: 0

RFQ -
JAN1N1204A

メーカー: Microsemi Corporation

説明: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

在庫あり: 0

RFQ -