provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| 部品番号 | APT38F80B2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 41A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 260nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8070pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1040W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 240 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant |
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
在庫あり: 31
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
在庫あり: 2903
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
在庫あり: 17
