ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXFA10N80P

IXYS IXFA10N80P

部品番号
IXFA10N80P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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製品パラメータ
部品番号 IXFA10N80P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 2.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 40nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2050pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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