ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SPN02N60C3 E6433

Infineon Technologies SPN02N60C3 E6433

部品番号
SPN02N60C3 E6433
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 SPN02N60C3 E6433
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 400mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.9V @ 80µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 13nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 200pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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