ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SPD02N60C3BTMA1

Infineon Technologies SPD02N60C3BTMA1

部品番号
SPD02N60C3BTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 SPD02N60C3BTMA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.9V @ 80µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 200pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 25W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3 Ohm @ 1.1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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