ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SPA11N65C3XKSA1

Infineon Technologies SPA11N65C3XKSA1

部品番号
SPA11N65C3XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    1.49500/pcs
  • 10 pcs

    1.41250/pcs
  • 100 pcs

    1.15830/pcs
  • 500 pcs

    0.93792/pcs
  • 1,000 pcs

    0.79102/pcs
合計:1.49500/pcs Unit Price:
1.49500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 SPA11N65C3XKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.9V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 60nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1200pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 33W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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