ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IRF8010STRRPBF

Infineon Technologies IRF8010STRRPBF

部品番号
IRF8010STRRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 IRF8010STRRPBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 120nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3830pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 260W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 15 mOhm @ 45A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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在庫あり: 0

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説明: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

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RFQ 0.58424/pcs
IRF8010STRRPBF

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