ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IRF7451TRPBF

Infineon Technologies IRF7451TRPBF

部品番号
IRF7451TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 IRF7451TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.6A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 41nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 990pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 90 mOhm @ 2.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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説明: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC

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RFQ 0.18183/pcs
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RFQ 0.35500/pcs
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説明: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

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説明: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

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RFQ 0.17083/pcs
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RFQ 0.16269/pcs