ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IPAW60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies IPAW60R360P7SXKSA1

部品番号
IPAW60R360P7SXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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  • 10 pcs

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    0.35864/pcs
  • 1,000 pcs

    0.28314/pcs
合計:0.84500/pcs Unit Price:
0.84500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IPAW60R360P7SXKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 140µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 13nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 555pF @ 400V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 22W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 360 mOhm @ 2.7A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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