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| 部品番号 | IDH04G65C5XKSA2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 650V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 4A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.7V @ 4A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 70µA @ 650V |
| 容量Vr、F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2-1 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
メーカー: Infineon Technologies
説明: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
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