部品番号 | BTS113ANKSA1 |
---|---|
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.5A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 560pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 40W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | P-TO220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |