ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BTS113ANKSA1

Infineon Technologies BTS113ANKSA1

部品番号
BTS113ANKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 BTS113ANKSA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 560pF @ 25V
Vgs(最大) ±10V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ P-TO220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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