ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BSS670S2L

Infineon Technologies BSS670S2L

部品番号
BSS670S2L
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 BSS670S2L
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 55V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 540mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 2.7µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2.26nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 75pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 360mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 650 mOhm @ 270mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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