ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BSC070N10NS5ATMA1

Infineon Technologies BSC070N10NS5ATMA1

部品番号
BSC070N10NS5ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 BSC070N10NS5ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.8V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 38nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2700pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7 mOhm @ 40A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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