部品番号 | BSC070N10NS5ATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 6V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.8V @ 50µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 38nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2700pF @ 50V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 7 mOhm @ 40A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
在庫あり: 20000
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
在庫あり: 5000