部品番号 | GSID200A170S3B1 |
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部品ステータス | Active |
IGBTタイプ | - |
構成 | 2 Independent |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 1200V |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 400A |
電力 - 最大 | 1630W |
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1mA |
入力容量(Cies)@ Vce | 26nF @ 25V |
入力 | Standard |
NTCサーミスタ | No |
動作温度 | -40°C ~ 150°C |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | D-3 Module |
サプライヤデバイスパッケージ | D3 |
メーカー: Global Power Technologies Group
説明: SILICON IGBT MODULES
在庫あり: 0
メーカー: Global Power Technologies Group
説明: IGBT MODULE 1200V 335A
在庫あり: 9
メーカー: Global Power Technologies Group
説明: SILICON IGBT MODULES
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