部品番号 | SSN1N45BBU |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 450V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 500mA (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.7V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 8.5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 240pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±50V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 900mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |