ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル FDI040N06

Fairchild/ON Semiconductor FDI040N06

部品番号
FDI040N06
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Fairchild / ON Semiconductor

Fairchild / ON Semiconductor

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製品パラメータ
部品番号 FDI040N06
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 133nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8235pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 231W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4 mOhm @ 75A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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