| 部品番号 | CAS325M12HM2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 444A (Tc) |
| Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 105mA |
| ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 1127nC @ 20V |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 3000W |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |