Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SQ4920EY-T1_GE3

Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_GE3

Numero di parte
SQ4920EY-T1_GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

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In stock 34702 pz
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SQ4920EY-T1_GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 15V
Potenza - Max 4.4W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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fabbricante: Vishay Siliconix

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

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