vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Numero di parte | SIHP30N60E-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Disponibile: 1000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
Disponibile: 1396
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
Disponibile: 612
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Disponibile: 1000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Disponibile: 900
