Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SIA931DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix SIA931DJ-T1-GE3

Numero di parte
SIA931DJ-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 7500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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  • 3,000 pcs

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SIA931DJ-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 445pF @ 15V
Potenza - Max 7.8W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA931DJ-T1-GE3

fabbricante: Vishay Siliconix

Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L

Disponibile: 3000

RFQ 0.09804/pcs
SIA936EDJ-T1-GE3

fabbricante: Vishay Siliconix

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

Disponibile: 0

RFQ -