vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Numero di parte | SI7942DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.4W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Disponibile: 3000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Disponibile: 3000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Disponibile: 5800
