Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI7530DP-T1-E3

Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3

Numero di parte
SI7530DP-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

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Numero di parte SI7530DP-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.4W, 1.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual
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fabbricante: Vishay Siliconix

Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

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