Numero di parte | SI5904DC-T1-E3 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Disponibile: 15000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Disponibile: 0