Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI4618DY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4618DY-T1-E3

Numero di parte
SI4618DY-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 12500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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0.32263/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI4618DY-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 15V
Potenza - Max 1.98W, 4.16W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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