Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI4427BDY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4427BDY-T1-E3

Numero di parte
SI4427BDY-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 18750 pz
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    (In dollari USA)
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI4427BDY-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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