Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI4310BDY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4310BDY-T1-E3

Numero di parte
SI4310BDY-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Numero di parte SI4310BDY-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A, 9.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 15V
Potenza - Max 1.14W, 1.47W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 14-SOIC
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