Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI4102DY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI4102DY-T1-GE3

Numero di parte
SI4102DY-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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In stock 6250 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI4102DY-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158 mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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