Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI3451DV-T1-GE3

Vishay Siliconix SI3451DV-T1-GE3

Numero di parte
SI3451DV-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Parametro del prodotto
Numero di parte SI3451DV-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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fabbricante: Vishay Siliconix

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Disponibile: 0

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Descrizione: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

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Descrizione: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

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