vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Numero di parte | SI2307CDS-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Disponibile: 36000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Disponibile: 81000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Disponibile: 3000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Disponibile: 84000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Disponibile: 108000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Disponibile: 0
