Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI1046X-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1046X-T1-GE3

Numero di parte
SI1046X-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

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Numero di parte SI1046X-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.49nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 66pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 606mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-3
Pacchetto / caso SC-89, SOT-490
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