Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI1029X-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3

Numero di parte
SI1029X-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 247500 pz
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI1029X-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Potenza - Max 250mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6
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