Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI1024X-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1024X-T1-GE3

Numero di parte
SI1024X-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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In stock 97500 pz
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI1024X-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 250mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6
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