NSB8ATHE3_A/P P1

Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8ATHE3_A/P

Numero di parte: NSB8ATHE3_A/P
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Vishay Corporation

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vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Parametro del prodotto

Numero di parte	NSB8ATHE3_A/P
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Corrente - Rettificato medio (Io)	8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 8A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F	55pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C

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