Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRLD120

Vishay Siliconix IRLD120

Numero di parte
IRLD120
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

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Numero di parte IRLD120
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 780mA, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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