Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRLD014

Vishay Siliconix IRLD014

Numero di parte
IRLD014
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

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Numero di parteIRLD014
Stato parteObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 25V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 1A, 5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitore4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso4-DIP (0.300", 7.62mm)
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