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| Numero di parte | IRF730PBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Disponibile: 1656
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Disponibile: 2695
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Disponibile: 800
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
Disponibile: 1008
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Disponibile: 22400
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Disponibile: 0
