Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRF620PBF

Vishay Siliconix IRF620PBF

Numero di parte
IRF620PBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 2110 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.49500/pcs
  • 10 pcs

    0.46200/pcs
  • 100 pcs

    0.35640/pcs
  • 500 pcs

    0.26400/pcs
  • 1,000 pcs

    0.21120/pcs
Totale:0.49500/pcsUnit Price:
0.49500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteIRF620PBF
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds260pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs800 mOhm @ 3.1A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3
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