Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array TPD3215M

Transphorm TPD3215M

Numero di parte
TPD3215M
fabbricante
Transphorm
Descrizione
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Transphorm

Transphorm

transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.

In stock 32 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    98.35500/pcs

  • 10 pcs

    93.60750/pcs
Totale:98.35500/pcsUnit Price:
98.35500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteTPD3215M
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FETGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2260pF @ 100V
Potenza - Max470W
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule
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