Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65W,S5X

Numero di parte: TK6A65W,S5X
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 405 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.96000/pcs
50 pcs
0.76850/pcs
100 pcs
0.67240/pcs
500 pcs
0.52146/pcs
1,000 pcs
0.41168/pcs

Totale:0.96000/pcs

Unit Price:

0.96000/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	TK6A65W,S5X
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 2.9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab