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| Numero di parte | TK11P65W,RQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.1A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 450µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 5.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
fabbricante: AKM Semiconductor Inc.
Descrizione: IC REG LDO 3V 0.3A SOT23L-6
Disponibile: 0
fabbricante: AKM Semiconductor Inc.
Descrizione: IC REG LDO 5V 0.3A SOT23L-6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Disponibile: 97
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Disponibile: 2000
