Toshiba Semiconductor and Storage TC58NVG1S3HBAI4

Numero di parte: TC58NVG1S3HBAI4
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Memoria

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 77 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
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10 pcs
0.80580/pcs
25 pcs
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Totale:0.93900/pcs

Unit Price:

0.93900/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	TC58NVG1S3HBAI4
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Dimensione della memoria	2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	63-TFBGA (9x11)