Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE,LM

Numero di parte: SSM6N44FE,LM
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte	SSM6N44FE,LM
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8.5pF @ 3V
Potenza - Max	150mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6 (1.6x1.6)