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Numero di parte | SSM3K72KCT,L3F |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 100mA, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Disponibile: 9000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Disponibile: 6000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Disponibile: 33000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Disponibile: 10000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Disponibile: 0