Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati RN4982FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE,LF(CB

Numero di parte
RN4982FE,LF(CB
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 554968 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.02415/pcs
  • 4,000 pcs

    0.02415/pcs
  • 8,000 pcs

    0.02100/pcs
  • 12,000 pcs

    0.01785/pcs
  • 28,000 pcs

    0.01680/pcs
  • 100,000 pcs

    0.01400/pcs
Totale:0.02415/pcs Unit Price:
0.02415/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte RN4982FE,LF(CB
Stato parte Active
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6
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