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Numero di parte | RN4982FE,LF(CB |
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Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistore - Base (R1) (Ohm) | 10k |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 10k |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Disponibile: 3786
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Disponibile: 6000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Disponibile: 0