Toshiba Semiconductor and Storage RN2911,LF

Numero di parte: RN2911,LF
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto

Numero di parte	RN2911,LF
Stato parte	Active
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	200MHz
Potenza - Max	200mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	US6