Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati RN2318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2318(TE85L,F)

Numero di parte
RN2318(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 3687 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.15000/pcs
  • 10 pcs

    0.13500/pcs
  • 25 pcs

    0.09740/pcs
  • 100 pcs

    0.07570/pcs
  • 250 pcs

    0.04758/pcs
  • 500 pcs

    0.04056/pcs
  • 1,000 pcs

    0.02758/pcs
Totale:0.15000/pcs Unit Price:
0.15000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte RN2318(TE85L,F)
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore USM
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