Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J(TE85L,F)

Numero di parte
HN4A06J(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte HN4A06J(TE85L,F)
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Transistor Type 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max 300mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitore SMV
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fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

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