Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 2SC5065-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-Y(TE85L,F)

Numero di parte
2SC5065-Y(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANSISTOR NPN MM-USM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 15000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.05890/pcs
  • 3,000 pcs

    0.05890/pcs
  • 6,000 pcs

    0.05534/pcs
Totale:0.05890/pcs Unit Price:
0.05890/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2SC5065-Y(TE85L,F)
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Guadagno 12dB ~ 17dB
Potenza - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 30mA
temperatura di esercizio 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore USM
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