Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 2SC2714-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-Y(TE85L,F)

Numero di parte
2SC2714-Y(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANSISTOR NPN S-MINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 22500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.04200/pcs
  • 3,000 pcs

    0.04200/pcs
  • 6,000 pcs

    0.03780/pcs
Totale:0.04200/pcs Unit Price:
0.04200/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2SC2714-Y(TE85L,F)
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Frequenza - Transizione 550MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 2.5dB @ 100MHz
Guadagno 23dB
Potenza - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 6V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 20mA
temperatura di esercizio 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
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