Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6FJT,AF

Numero di parte: 2SC2235-Y(T6FJT,AF
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto

Numero di parte	2SC2235-Y(T6FJT,AF
Stato parte	Last Time Buy
Transistor Type	NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 100mA, 5V
Potenza - Max	900mW
Frequenza - Transizione	120MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92MOD